VHB10-12S Datasheet

Название:VHB10-12S
Информация:NPN silicon RF power transistor
Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
Темп. режим:Min: -65 | Max: 200
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:VHB10-12S.PDF (0Kb)

VHB10-12S datasheet

VHB10-12S Datasheet

Скачать документацию на VHB10-12S