W4NXD8C-S000 datasheet: Diameter: 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

W4NXD8C-S000 Datasheet
Название:	W4NXD8C-S000
Информация:	Diameter: 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Производитель:	CREE
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	W4NXD8C-S000.PDF (0Kb)

W4NXD8C-S000 Datasheet