W4TXE0X-0D00 datasheet: Diameter: 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

W4TXE0X-0D00 Datasheet
Название:	W4TXE0X-0D00
Информация:	Diameter: 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Производитель:	CREE
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	W4TXE0X-0D00.PDF (0Kb)

W4TXE0X-0D00 Datasheet