W6PXD3O-0000 datasheet: Diameter: 50.8mm; lsemi-insulating (prototype); 6H-silicon carbide. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

W6PXD3O-0000 Datasheet
Название:	W6PXD3O-0000
Информация:	Diameter: 50.8mm; lsemi-insulating (prototype); 6H-silicon carbide. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Производитель:	CREE
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	W6PXD3O-0000.PDF (0Kb)

W6PXD3O-0000 Datasheet