ECF10N25 datasheet: N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

ECF10N25 Datasheet
Название:	ECF10N25
Информация:	N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.
Производитель:	EXICO
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	TO3
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	ECF10N25.PDF (0Kb)

ECF10N25 Datasheet