HUF75333G3 datasheet: Power dissipation 111 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 56 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 55 V Resistance Rds on 0.016 R Temperature current 25 ?C Temperature power 25 ?C- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

HUF75333G3 Datasheet
Название:	HUF75333G3
Информация:	Power dissipation 111 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 56 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 55 V Resistance Rds on 0.016 R Temperature current 25 ?C Temperature power 25 ?C
Производитель:	Fairchild Semiconductor
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	HUF75333G3.PDF (0Kb)

HUF75333G3 Datasheet