GS8160E32T-200I datasheet: 6.5ns 200MHz 512K x 32 synchronous burst SRAM- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

GS8160E32T-200I Datasheet
Название:	GS8160E32T-200I
Информация:	6.5ns 200MHz 512K x 32 synchronous burst SRAM
Производитель:	GSITE
Темп. режим:	Min: -40 \| Max: 85
Корпус:	TQFP
Кол-во выводов:	100
Скачать Datasheet:	GS8160E32T-200I.PDF (0Kb)

GS8160E32T-200I Datasheet