IRC840 datasheet: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 8.0A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 0.85 Ohm- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRC840 Datasheet
Название:	IRC840
Информация:	HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 8.0A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 0.85 Ohm
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	5
Скачать Datasheet:	IRC840.PDF (0Kb)

IRC840 Datasheet