IRG4BC10SD-S datasheet: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRG4BC10SD-S Datasheet
Название:	IRG4BC10SD-S
Информация:	Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	DDPak
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRG4BC10SD-S.PDF (0Kb)

IRG4BC10SD-S Datasheet