IRF1010N datasheet: HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRF1010N Datasheet
Название:	IRF1010N
Информация:	HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 175
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRF1010N.PDF (0Kb)

IRF1010N Datasheet