IRF5M5210 datasheet: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.07 Ohm, ID = -34A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRF5M5210 Datasheet
Название:	IRF5M5210
Информация:	HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.07 Ohm, ID = -34A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRF5M5210.PDF (0Kb)

IRF5M5210 Datasheet