IRFB9N30A datasheet: HEXFET power MOSFET. VDSS = 300V, RDS(on) = 0.45 Ohm, ID = 9.3A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRFB9N30A Datasheet
Название:	IRFB9N30A
Информация:	HEXFET power MOSFET. VDSS = 300V, RDS(on) = 0.45 Ohm, ID = 9.3A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRFB9N30A.PDF (0Kb)

IRFB9N30A Datasheet