IRFB9N65A datasheet: HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 8.5A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRFB9N65A Datasheet
Название:	IRFB9N65A
Информация:	HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 8.5A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRFB9N65A.PDF (0Kb)

IRFB9N65A Datasheet