IRFB9N65A Datasheet

Название:IRFB9N65A
Информация:HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 8.5A
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:IRFB9N65A.PDF (0Kb)

IRFB9N65A datasheet

IRFB9N65A Datasheet

Скачать документацию на IRFB9N65A