IRFIBE30G datasheet: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRFIBE30G Datasheet
Название:	IRFIBE30G
Информация:	HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRFIBE30G.PDF (0Kb)

IRFIBE30G Datasheet