IRFIBF30G datasheet: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRFIBF30G Datasheet
Название:	IRFIBF30G
Информация:	HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A
Производитель:	International Rectifier
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRFIBF30G.PDF (0Kb)

IRFIBF30G Datasheet