IN5402 datasheet: 3.0 A, silicon rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 200 V, max RMS voltage 140 V, max D. C blocking voltage 200 V.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IN5402 Datasheet
Название:	IN5402
Информация:	3.0 A, silicon rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 200 V, max RMS voltage 140 V, max D. C blocking voltage 200 V.
Производитель:	JGD
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 125
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	2
Скачать Datasheet:	IN5402.PDF (0Kb)

IN5402 Datasheet