IN5407 datasheet: 3.0 A, silicon rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 800 V, max RMS voltage 560 V, max D. C blocking voltage 800 V.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IN5407 Datasheet
Название:	IN5407
Информация:	3.0 A, silicon rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 800 V, max RMS voltage 560 V, max D. C blocking voltage 800 V.
Производитель:	JGD
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 125
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	2
Скачать Datasheet:	IN5407.PDF (0Kb)

IN5407 Datasheet