BD241 Datasheet
Название:BD241
Информация:4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
Производитель:ME
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:BD241.PDF (0Kb)

BD241 datasheet

BD241 Datasheet

Скачать документацию на BD241