BD241A Datasheet

Название:BD241A
Информация:4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
Производитель:ME
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:BD241A.PDF (0Kb)

BD241A datasheet

BD241A Datasheet

Скачать документацию на BD241A