BD241B Datasheet
Название:BD241B
Информация:4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
Производитель:ME
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:BD241B.PDF (0Kb)

BD241B datasheet

BD241B Datasheet

Скачать документацию на BD241B