MTW33N10E datasheet: TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

MTW33N10E Datasheet
Название:	MTW33N10E
Информация:	TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole
Производитель:	Motorola
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	4
Скачать Datasheet:	MTW33N10E.PDF (0Kb)

MTW33N10E Datasheet