MTW10N100E datasheet: TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

MTW10N100E Datasheet
Название:	MTW10N100E
Информация:	TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole
Производитель:	Motorola
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	4
Скачать Datasheet:	MTW10N100E.PDF (0Kb)

MTW10N100E Datasheet