MTE215N10E datasheet: ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

MTE215N10E Datasheet
Название:	MTE215N10E
Информация:	ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor
Производитель:	Motorola
Темп. режим:	Min: -40 \| Max: 150
Корпус:	SOT
Кол-во выводов:	4
Скачать Datasheet:	MTE215N10E.PDF (0Kb)

MTE215N10E Datasheet