NTE3312 datasheet: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

NTE3312 Datasheet
Название:	NTE3312
Информация:	Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
Производитель:	NTE
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	NTE3312.PDF (0Kb)

NTE3312 Datasheet