NTE5575 datasheet: Silicon controlled rectiifier. Repetitive peak forward blocking voltage, Vdrm = 200V. Repetitive peak reverse voltage, Vrrm = 200V. RMS on-state current Itrms = 125A.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

NTE5575 Datasheet
Название:	NTE5575
Информация:	Silicon controlled rectiifier. Repetitive peak forward blocking voltage, Vdrm = 200V. Repetitive peak reverse voltage, Vrrm = 200V. RMS on-state current Itrms = 125A.
Производитель:	NTE
Темп. режим:	Min: -40 \| Max: 125
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	NTE5575.PDF (0Kb)

NTE5575 Datasheet