SM401 Datasheet
Название:SM401
Информация:135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SM401.PDF (0Kb)

SM401 datasheet

SM401 Datasheet

Скачать документацию на SM401