SM706 Datasheet
Название:SM706
Информация:135 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SM706.PDF (0Kb)

SM706 datasheet

SM706 Datasheet

Скачать документацию на SM706