F1001 Datasheet

Название:F1001
Информация:Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:F1001.PDF (0Kb)

F1001 datasheet

F1001 Datasheet

Скачать документацию на F1001