F1001C datasheet: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F1001C Datasheet
Название:	F1001C
Информация:	Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	6
Скачать Datasheet:	F1001C.PDF (0Kb)

F1001C Datasheet