F1001C Datasheet

Название:F1001C
Информация:Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:6
Скачать Datasheet:F1001C.PDF (0Kb)

F1001C datasheet

F1001C Datasheet

Скачать документацию на F1001C