F1014 Datasheet

Название:F1014
Информация:Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:F1014.PDF (0Kb)

F1014 datasheet

F1014 Datasheet

Скачать документацию на F1014