F1040 Datasheet

Название:F1040
Информация:40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:F1040.PDF (0Kb)

F1040 datasheet

F1040 Datasheet

Скачать документацию на F1040