F1058 datasheet: 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F1058 Datasheet
Название:	F1058
Информация:	30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	4
Скачать Datasheet:	F1058.PDF (0Kb)

F1058 Datasheet