F1207 Datasheet

Название:F1207
Информация:20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:F1207.PDF (0Kb)

F1207 datasheet

F1207 Datasheet

Скачать документацию на F1207