F1209 datasheet: 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F1209 Datasheet
Название:	F1209
Информация:	20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	8
Скачать Datasheet:	F1209.PDF (0Kb)

F1209 Datasheet