F1209 Datasheet

Название:F1209
Информация:20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:F1209.PDF (0Kb)

F1209 datasheet

F1209 Datasheet

Скачать документацию на F1209