F1401 Datasheet

Название:F1401
Информация:35 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:F1401.PDF (0Kb)

F1401 datasheet

F1401 Datasheet

Скачать документацию на F1401