F2001 datasheet: 2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F2001 Datasheet
Название:	F2001
Информация:	2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	2
Скачать Datasheet:	F2001.PDF (0Kb)

F2001 Datasheet