F2003 Datasheet

Название:F2003
Информация:5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:F2003.PDF (0Kb)

F2003 datasheet

F2003 Datasheet

Скачать документацию на F2003