F2021 datasheet: 7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F2021 Datasheet
Название:	F2021
Информация:	7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	2
Скачать Datasheet:	F2021.PDF (0Kb)

F2021 Datasheet