F2021 Datasheet

Название:F2021
Информация:7.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:F2021.PDF (0Kb)

F2021 datasheet

F2021 Datasheet

Скачать документацию на F2021