F2201 Datasheet

Название:F2201
Информация:2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:F2201.PDF (0Kb)

F2201 datasheet

F2201 Datasheet

Скачать документацию на F2201