F2248 Datasheet

Название:F2248
Информация:8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:6
Скачать Datasheet:F2248.PDF (0Kb)

F2248 datasheet

F2248 Datasheet

Скачать документацию на F2248