F3002 datasheet: 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F3002 Datasheet
Название:	F3002
Информация:	300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	4
Скачать Datasheet:	F3002.PDF (0Kb)

F3002 Datasheet