L125 Datasheet
Название:L125
Информация:15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:L125.PDF (0Kb)

L125 datasheet

L125 Datasheet

Скачать документацию на L125