L2801 Datasheet
Название:L2801
Информация:15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:SO
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:L2801.PDF (0Kb)

L2801 datasheet

L2801 Datasheet

Скачать документацию на L2801