L8701P Datasheet
Название:L8701P
Информация:30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:L8701P.PDF (0Kb)

L8701P datasheet

L8701P Datasheet

Скачать документацию на L8701P