L88016 Datasheet
Название:L88016
Информация:30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:L88016.PDF (0Kb)

L88016 datasheet

L88016 Datasheet

Скачать документацию на L88016