LP722 Datasheet
Название:LP722
Информация:35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:LP722.PDF (0Kb)

LP722 datasheet

LP722 Datasheet

Скачать документацию на LP722