LQ821 Datasheet
Название:LQ821
Информация:20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:LQ821.PDF (0Kb)

LQ821 datasheet

LQ821 Datasheet

Скачать документацию на LQ821