LR401 Datasheet
Название:LR401
Информация:130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:LR401.PDF (0Kb)

LR401 datasheet

LR401 Datasheet

Скачать документацию на LR401