P121 Datasheet

Название:P121
Информация:1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:P121.PDF (0Kb)

P121 datasheet

P121 Datasheet

Скачать документацию на P121