ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
Поиск
Пример:
DS1280
P281 Datasheet
Название:
P281
Информация:
2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:
POFET
Темп. режим:
Min: -65
|
Max: 150
Корпус:
N/A
Кол-во выводов:
8
Скачать Datasheet:
P281.PDF
(0Kb)
P281 datasheet
Скачать документацию на P281