P281 Datasheet

Название:P281
Информация:2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:P281.PDF (0Kb)

P281 datasheet

P281 Datasheet

Скачать документацию на P281